Компания Wolfspeed получила от Министерства обороны США условное обязательство о предоставлении кредита на сумму 1,5 млрд долларов США.

В последнее время ведущий американский производитель карбида кремния Wolfspeed (NYSE: WOLF) опубликовал сообщение о получении от Офиса стратегического капитала (OSC) Министерства обороны США (DoD) условного письма‑обязательства о предоставлении долгосрочного финансирования в размере до 1,5 млрд долларов. Эти средства будут направлены на исследования и производство материалов на основе карбида кремния (SiC) и силовых полупроводниковых приборов широкозонной технологии на территории США, с акцентом на применение в сферах, связанных с национальной безопасностью страны.

Как отмечается, данное финансирование поддержит реализацию ряда ключевых проектов Министерства обороны. Wolfspeed планирует использовать эти средства для модернизации технологических возможностей по эпитаксии нитрида галлия (GaN), чтобы обеспечить потребности следующего поколения систем связи и радиоэлектронной борьбы, а также для разработки улучшенных радиационно‑устойчивых характеристик продуктов на базе SiC и следующего поколения GaN. В многолетней стратегии компании предусмотрены следующие направления: укрепление лидирующих позиций США в области материалов и силовых устройств на основе карбида кремния; создание новых, расширение существующих или возвращение на территорию США линий по производству низковольтных и высоковольтных силовых приборов на основе GaN; развитие технологий производства радиочастотных эпитаксиальных пластин GaN‑on‑SiC; формирование национальной системы компетенций в области радиационно‑устойчивых полупроводниковых технологий.

Согласно условиям сделки, это условное обязательство представляет собой долгосрочный кредит с высоким уровнем обеспечения и возможностью отложенного изъятия, сумма которого может достигать 1,5 млрд долларов, со сроком погашения до 30 лет. Одним из предварительных условий реализации финансирования является выпуск компанией Wolfspeed в пользу Министерства обороны США варрантов, расчет которых осуществляется на основе средневзвешенной цены за период (VWAP); совокупно эти варранты могут дать право на приобретение до 7,5% акций компании в полностью разводнённом виде. Варранты будут предоставляться пропорционально поэтапным траншам финансирования.

Wolfspeed также отмечает, что окончательное заключение официального соглашения и завершение процедуры финансирования ещё требуют проведения комплексной проверки, завершения коммерческих переговоров, проверки условий закрытия сделки, получения соответствующих государственных одобрений, оформления выплат и получения необходимых лицензий третьих сторон — поэтому нельзя гарантировать окончательную реализацию сделки и беспрепятственное поступление средств.

Генеральный директор Wolfspeed Роберт Фёрле заявил, что SiC и GaN обладают незаменимой стратегической ценностью в сфере национальной безопасности. При успешном продвижении финансирования компания продолжит удовлетворять потребности Министерства обороны США и дополнительно расширит свои производственные мощности, обеспечивая стабильные поставки для отрасли национальной безопасности. Главный финансовый директор Грегор ван Иссум отметил, что это 30‑летнее обязательство по предоставлению кредита является важной вехой в оптимизации корпоративной структуры капитала и укреплении финансовой основы компании; оно позволит привлечь долгосрочные ресурсы для поддержки стратегических планов и повысить финансовую гибкость предприятия.

Карбид кремния и нитрид галлия, являясь ключевыми материалами третьего поколения широкозонных полупроводников, широко применяются в радиочастотных устройствах, военно‑промышленной электронике, системах преобразования энергии и других областях. Ожидается, что крупное долгосрочное финансирование со стороны Министерства обороны США ускорит развитие отечественных производственных мощностей по выпуску материалов и устройств на основе широкозонных полупроводников, стимулирует дальнейшую модернизацию радиочастотных и радиационно‑устойчивых полупроводниковых технологий, а также существенно повлияет на глобальную конкурентную ситуацию в отрасли SiC и GaN.

Источник: Отрасль третьего поколения полупроводников