Wolfspeed recebe compromisso de empréstimo condicional de 1,5 bilhão de dólares do Departamento de Defesa dos Estados Unidos

Recentemente, a Wolfspeed (NYSE: WOLF), líder norte-americana em carbeto de silício, anunciou que recebeu uma carta de compromisso de financiamento condicional emitida pelo Escritório de Capital Estratégico (OSC) do Departamento de Defesa dos Estados Unidos (DoD), prevendo a concessão de até 1,5 bilhão de dólares em financiamento de longo prazo. Os recursos serão destinados à pesquisa, desenvolvimento e produção, em solo norte-americano, de materiais de carbeto de silício (SiC) e de dispositivos de potência de banda larga, com foco em aplicações relacionadas à segurança nacional dos EUA.

Segundo informações divulgadas, esse financiamento apoiará a implementação de vários projetos-chave do Departamento de Defesa. A Wolfspeed planeja utilizar os recursos para atualizar sua capacidade de processos de epitaxia de nitreto de gálio (GaN), atendendo às necessidades da próxima geração de infraestruturas de comunicação e sistemas de guerra eletrônica, além de desenvolver a resistência à radiação de produtos de SiC e de GaN de última geração. O plano de desenvolvimento plurianual da empresa inclui: consolidar a liderança norte-americana em materiais de carbeto de silício e dispositivos de potência; construir, ampliar ou relocalizar linhas de produção nacionais de dispositivos de potência de GaN de baixa e alta tensão; avançar na pesquisa e no desenvolvimento de tecnologias de wafers epitaxiais de RF GaN-on-SiC; e estabelecer um sistema nacional de capacidade em tecnologia de semicondutores resistentes à radiação.

Os termos do acordo indicam que este compromisso condicional consiste em um empréstimo a prazo de até 1,5 bilhão de dólares, com garantia senior e saque diferido, com prazo de vencimento de até 30 anos. Entre as condições prévias para a efetivação do financiamento, destaca-se a emissão, pela Wolfspeed, ao Departamento de Defesa dos EUA, de warrants baseados no preço médio ponderado por volume (VWAP), cujo valor total pode chegar a até 7,5% do capital totalmente diluído da empresa; esses warrants serão concedidos proporcionalmente conforme o desembolso gradual dos recursos.

A Wolfspeed também alerta que a assinatura formal do contrato e a conclusão definitiva do financiamento ainda dependem de uma série de etapas preliminares, incluindo diligência devida, negociações comerciais, verificação das condições de fechamento, aprovações governamentais, liberação dos fundos e obtenção de licenças de terceiros, não sendo possível garantir a concretização final do negócio nem o desembolso tranquilo dos recursos.

Robert Feurle, CEO da Wolfspeed, afirmou que o SiC e o GaN possuem um valor estratégico insubstituível no campo da segurança nacional. Caso o financiamento seja concluído com sucesso, a empresa continuará atendendo às demandas do Departamento de Defesa dos EUA e ampliará ainda mais sua capacidade produtiva, assegurando o abastecimento da indústria de segurança nacional norte-americana. Já Gregor van Issum, diretor financeiro da empresa, destacou que este compromisso de empréstimo de 30 anos representa um marco importante para a otimização da estrutura de capital e o fortalecimento dos fundamentos financeiros da companhia, podendo atrair recursos de longo prazo para sustentar a estratégia de expansão e aumentar a flexibilidade financeira da empresa.

O carbeto de silício e o nitreto de gálio, como materiais semicondutores de terceira geração de banda larga, são amplamente utilizados em aplicações de radiofrequência, eletrônica militar e conversão de potência. A expectativa de concretização deste grande financiamento de longo prazo do Departamento de Defesa dos EUA deverá acelerar a construção de capacidade produtiva nacional de materiais e dispositivos semicondutores de banda larga, impulsionar a evolução das tecnologias de semicondutores de RF e resistentes à radiação, além de impactar profundamente o cenário competitivo global das indústrias de SiC e GaN.

Fonte: Indústria de Semicondutores de Terceira Geração