Wolfspeed obtient un engagement de prêt conditionnel de 1,5 milliard de dollars de la part du Département de la Défense des États-Unis.

Récemment, Wolfspeed (NYSE : WOLF), leader américain de la technologie du carbure de silicium, a publié un communiqué annonçant avoir reçu une lettre d’engagement de financement conditionnel émanant du Bureau du Capital Stratégique (OSC) du Département de la Défense des États-Unis (DoD). Ce financement, d’un montant maximal de 1,5 milliard de dollars, est destiné à soutenir la recherche‑développement et la production aux États‑Unis de matériaux en carbure de silicium (SiC) ainsi que de composants de puissance à large bande interdite, avec un accent particulier sur les applications liées à la sécurité nationale américaine.

Selon les informations fournies, ce financement permettra de concrétiser plusieurs projets prioritaires du Département de la Défense. Wolfspeed prévoit d’utiliser ces fonds pour moderniser ses capacités d’épitaxie en nitrure de gallium (GaN), afin de servir les infrastructures de communication de prochaine génération et les systèmes de guerre électronique, tout en développant la résistance aux radiations des produits en SiC et en GaN de nouvelle génération. Le plan stratégique pluriannuel de l’entreprise inclut notamment : le renforcement de l’avance américaine dans les matériaux et les dispositifs de puissance en carbure de silicium ; la création, l’extension ou la relocalisation de lignes de production nationales de composants de puissance en GaN basse et haute tension ; la poursuite de la recherche‑développement sur les plaquettes épitaxiales RF GaN‑on‑SiC ; ainsi que la mise en place d’une capacité nationale en technologies de protection contre les radiations pour les semi‑conducteurs.

Les termes de l’accord indiquent que cette promesse conditionnelle correspond à un prêt à terme senior garanti, d’un montant maximal de 1,5 milliard de dollars, avec un échéancier étalé sur 30 ans. Parmi les conditions préalables à la mise en œuvre de ce financement figure l’émission par Wolfspeed, au profit du Département de la Défense, de bons de souscription d’actions calculés sur la base du cours moyen pondéré par le volume (VWAP). Au total, ces bons pourraient représenter jusqu’à 7,5 % du capital entièrement dilué de l’entreprise, et seraient attribués proportionnellement au fur et à mesure du déboursement des fonds.

Wolfspeed rappelle également que la signature officielle de l’accord et la finalisation effective du financement demeurent subordonnées à la réalisation d’une série d’étapes préalables, telles que l’audit approfondi, les négociations commerciales, la vérification des conditions de clôture, les autorisations gouvernementales, le déboursement des fonds et l’obtention des licences requises auprès de tiers. Aucune garantie ne peut donc être donnée quant à l’aboutissement définitif de l’opération ni au versement sans heurts des fonds.

Robert Feurle, directeur général de Wolfspeed, a déclaré que le SiC et le GaN revêtent une valeur stratégique irremplaçable dans le domaine de la sécurité nationale. Si le financement se concrétise, l’entreprise continuera de répondre aux besoins du Département de la Défense et accroîtra encore sa capacité de production, assurant ainsi l’approvisionnement de l’industrie américaine de la sécurité nationale. Gregor van Issum, directeur financier de Wolfspeed, a quant à lui souligné que cette promesse de prêt sur 30 ans constitue une étape majeure dans l’optimisation de la structure du capital et le renforcement des fondamentaux financiers de l’entreprise, susceptible d’attirer des capitaux à long terme pour soutenir sa stratégie d’expansion et renforcer sa flexibilité financière.

Le carbure de silicium et le nitrure de gallium, matériaux essentiels de la troisième génération de semi‑conducteurs à large bande interdite, sont largement utilisés dans les domaines des radiofréquences, de l’électronique militaire et de la conversion de puissance. La mise en œuvre de ce financement massif et à long terme du Département de la Défense devrait accélérer le développement de la capacité de production nationale de matériaux et de dispositifs à large bande interdite, stimuler l’innovation dans les technologies RF et de protection contre les radiations, et influencer profondément la dynamique concurrentielle mondiale des industries du SiC et du GaN.

Source : Industrie des semi‑conducteurs de troisième génération