Cree lance une plateforme révolutionnaire d'amplificateurs à état solide basés sur GaN

　　Cree, Inc. (Nasdaq : CREE) annonce le lancement d'une nouvelle famille de puces nues GaN-sur-SiC 40V, 0,25 micron en bande Ku offrant des performances révolutionnaires en puissance et en bande passante. Cette famille de produits innovante permet aux amplificateurs à état solide de remplacer les tubes à onde progressive (TWT), améliorant ainsi l'efficacité et la fiabilité.

　　« Par rapport aux transistors GaAs dans la même gamme de fréquences, la famille de puces nues GaN HEMT 0,25 micron de Cree offre un gain, un rendement et une densité de puissance plus significatifs », a déclaré Tom Dekker, directeur des ventes et du marketing RF chez Cree. « Un gain plus élevé permet des solutions de puissance combinée plus efficaces, améliorant ainsi les performances des amplificateurs de puissance à état solide en bande C, bande X et bande Ku. »

　　Les principales applications du marché comprennent les radars maritimes, l'imagerie médicale, les applications industrielles et les communications par satellite. Par rapport aux transistors GaAs, les amplificateurs à état solide offrent une fiabilité plus élevée, un coût inférieur et une efficacité supérieure, et peuvent réduire la taille des amplificateurs de puissance et des alimentations. Le rendement élevé des amplificateurs de puissance GaN HEMT réduit efficacement la consommation d'énergie des émetteurs.

　　科锐无线射频业务发展经理 Ray Pengelly 表示：“科锐0.25微米GaN HEMT产品拥有突破性的性能，效率和带宽的显著提高实现了GaAs晶体管所不能达到的晶体管性能水平。例如，开关模式的高功率放大器（HPA）能够在微波频率段提供超过80%的功率附加效率。在功率超过10W时，GaN HEMT HPA 的瞬时带宽可达6至18GHz。0.25微米 GaN 产品所提供的卓越性能使得系统工程师能够重新设计 GaAs 晶体管和行波管。”

　　在40V 漏极电压和Ku 波段工作频率范围内，全新 GaN HEMT 裸芯片产品 CGHV1J006D、CGHV1J025D 以及 CGHV1J070D 的额定输出功率分别为6W、25W 和70W。

　　新型碳化硅衬底氮化镓裸芯片产品系列采用科锐专利技术，同时可扩展性的大信号器件模型能够与安捷伦公司的 Advanced Design System 以及 AWR 公司的 Microwave Office 模拟平台相兼容，因此无线射频设计工程师能够准确地模拟先进的射频放大器电路，从而显著缩短设计周期并实现更高微波频率。0.25微米碳化硅衬底氮化镓 HEMT 工艺具有业界领先的可靠性，并能够在 40V 的漏极电压下工作。当通道温度高达225 摄氏度时，平均无故障运行时间超过一百万小时。

　　如欲了解更多科锐全新0.25微米碳化硅衬底氮化镓 HEMT 裸芯片系列产品详情，敬请访问：www.cree.com/rf 。

À propos de Cree (CREE)

　　Cree a été fondée en 1987 et est une société cotée en bourse aux États-Unis (NASDAQ : CREE en 1993). C'est un fabricant renommé et un leader du secteur qui intègre l'épitaxie LED mondiale, les puces, le conditionnement, les solutions d'éclairage LED, les matériaux semi-conducteurs composés, les dispositifs de puissance et la RF. Les avantages des produits d'éclairage LED de Cree résident dans les technologies de matériaux uniques en nitrure de gallium (GaN) et en carbure de silicium (SiC), ainsi que dans la technologie avancée de lumière blanche. Avec plus de 1 300 brevets américains, plus de 2 900 brevets internationaux et près de 390 brevets chinois (y compris les brevets accordés et en cours d'examen), les produits LED de Cree restent au niveau leader mondial. Les LED haute puissance de qualité éclairage de Cree présentent une efficacité lumineuse élevée, des points de couleur stables et une longue durée de vie. Tout en fournissant aux clients des produits de dispositifs émetteurs de lumière de haute qualité et très fiables, Cree propose également des solutions complètes d'éclairage LED. Les interrupteurs MOSFET en carbure de silicium de Cree présentent une faible résistance à l'état passant, un coefficient de température stable, un faible courant de fuite et un court temps de commutation. Les diodes de puissance Schottky en carbure de silicium de Cree présentent un courant de récupération inverse nul. Ces caractéristiques rendent les dispositifs de puissance en carbure de silicium de Cree particulièrement adaptés aux systèmes électroniques de puissance nécessitant une haute fréquence, un rendement élevé, une densité de puissance élevée et une haute fiabilité.