Wolfspeed obtiene un compromiso de préstamo condicional por 1,5 mil millones de dólares del Departamento de Defensa de Estados Unidos.

Recientemente, Wolfspeed (NYSE: WOLF), empresa líder estadounidense en carburo de silicio, anunció que ha recibido una carta de compromiso de financiación condicional emitida por la Oficina de Capital Estratégico (OSC) del Departamento de Defensa de Estados Unidos (DoD). Dicha financiación prevé proporcionar hasta 1.500 millones de dólares en fondos a largo plazo, destinados a la investigación, el desarrollo y la producción en suelo estadounidense de materiales de carburo de silicio (SiC) y dispositivos de potencia de banda ancha, con especial énfasis en aplicaciones relacionadas con la seguridad nacional.

Según se informa, esta financiación apoyará la implementación de varios proyectos clave del Departamento de Defensa. Wolfspeed planea utilizar estos recursos para modernizar su capacidad de procesos de epitaxia de nitruro de galio (GaN), atendiendo a la próxima generación de infraestructuras de comunicación y sistemas de guerra electrónica, al tiempo que desarrolla la resistencia a la radiación de los productos de SiC y de la próxima generación de GaN. El plan de desarrollo a largo plazo de la empresa incluye: consolidar la ventaja competitiva estadounidense en materiales de carburo de silicio y dispositivos de potencia; construir, ampliar o relocalizar líneas de producción nacionales de dispositivos de potencia de GaN de baja y alta tensión; avanzar en la investigación y el desarrollo de tecnologías de obleas epitaxiales de RF basadas en GaN sobre SiC; y establecer un sistema nacional de capacidades en tecnología de semiconductores resistentes a la radiación.

Las condiciones del acuerdo indican que este compromiso condicional consiste en un préstamo a plazo fijo, garantizado y diferido, por un monto máximo de 1.500 millones de dólares, con un vencimiento de hasta 30 años. Entre los requisitos previos para la efectivización de la financiación figura la emisión por parte de Wolfspeed, ante el Departamento de Defensa de Estados Unidos, de warrants basados en el precio promedio ponderado por volumen (VWAP), que en conjunto podrían otorgar hasta el 7,5% de la participación accionaria totalmente diluida de la empresa; dichos warrants serán otorgados proporcionalmente conforme se desembolsen los fondos.

Wolfspeed también advierte que la firma formal del acuerdo y la finalización definitiva de la financiación aún requieren la realización de una serie de trámites preliminares, tales como la debida diligencia, las negociaciones comerciales, la verificación de las condiciones de cierre, las aprobaciones gubernamentales, el desembolso de los fondos y la obtención de licencias de terceros, por lo que no es posible garantizar la concreción final de la transacción ni el desembolso fluido de los recursos.

Robert Feurle, director ejecutivo de Wolfspeed, señaló que el SiC y el GaN poseen un valor estratégico insustituible en el ámbito de la seguridad nacional. De avanzar satisfactoriamente esta financiación, la empresa seguirá atendiendo las necesidades del Departamento de Defensa de Estados Unidos y ampliará aún más su capacidad productiva, asegurando el abastecimiento de la industria estadounidense de seguridad nacional. Por su parte, Gregor van Issum, director financiero de la compañía, afirmó que este compromiso de préstamo a 30 años constituye un hito importante para optimizar la estructura de capital y fortalecer los fundamentos financieros de la empresa, con el potencial de atraer fondos a largo plazo que respalden la estrategia de crecimiento y aumenten la flexibilidad financiera de la organización.

El carburo de silicio y el nitruro de galio, como materiales semiconductores de tercera generación de banda ancha, se emplean ampliamente en aplicaciones de radiofrecuencia, electrónica militar y conversión de potencia, entre otros campos. La esperada concreción de esta importante financiación a largo plazo por parte del Departamento de Defensa de Estados Unidos acelerará la construcción de capacidades nacionales en materiales y dispositivos semiconductores de banda ancha, impulsará la evolución de las tecnologías de semiconductores de radiofrecuencia y resistentes a la radiación, y tendrá un impacto profundo en el panorama competitivo global de las industrias del SiC y del GaN.

Fuente: Industria de los Semiconductores de Tercera Generación