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¡Noticia importante: El proyecto del equipo de Jiang Fengyi gana el Primer Premio en el Premio Nacional de Ciencias Naturales! Múltiples proyectos en el campo de la iluminación también reciben premios

Fuente: 中国之光网 Lecturas: 1383

El 8 de julio de 2026, se anunciaron en Pekín los Premios Nacionales de Ciencia y Tecnología de 2025. Los tres grandes premios seleccionaron un total de 258 proyectos, incluidos 51 proyectos del Premio Nacional de Ciencias Naturales (3 primeros premios, 48 segundos premios); 58 proyectos del Premio Nacional de Invención Tecnológica (3 primeros premios: 1 proyecto general, 2 proyectos especializados; 55 segundos premios: 40 proyectos generales, 15 proyectos especializados); 149 proyectos del Premio Nacional de Progreso Científico y Tecnológico (3 premios especiales: 1 proyecto general, 2 proyectos especializados; 13 primeros premios: 11 proyectos generales, 2 proyectos especializados; 133 segundos premios: 108 proyectos generales, 25 proyectos especializados).


Entre ellos, el campo de la iluminación LED ganó múltiples premios.


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El proyecto del equipo del académico Jiang Fengyi obtuvo el Premio Nacional de Ciencias Naturales Primera Clase



Universidad de Nanchang Académico Jiang Fengyi equipo completó el proyecto "Unión PN tridimensional con defecto en V y aplicación" y ganó el Premio Nacional de Ciencias Naturales Primer Premio.


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El proyecto pertenece a la investigación básica aplicada, profundizando en LED de GaN basado en silicio , saliendo de la línea de extensión de las rutas tecnológicas extranjeras, trazando un nuevo camino de I+D autónomo, proponiendo nuevos métodos teóricos, logrando un salto en el nivel técnico, comenzando desde la investigación básica hasta lograr la comercialización.


El proyecto descubrió que en la región de pozo cuántico de este material, la estructura tridimensional de defecto en V de gran tamaño inducida por dislocaciones tiene efectos beneficiosos como mejorar la inyección de huecos en el pozo cuántico y aumentar la calidad del pozo cuántico, rompiendo la cognición tradicional de que "menos/más pequeños defectos de dislocación es mejor." Propuso el método teórico de unión PN tridimensional con defecto en V, desarrollando la interfaz de la unión PN de dos dimensiones a tres dimensiones, cambiando la ruta de inyección de huecos en el pozo cuántico de superficies polares de alta barrera a superficies semipolares de baja barrera , transformando los defectos en V de tener "gran daño" a "pequeño daño", y finalmente desarrollándolos para tener "gran utilidad." En consecuencia, mejorando significativamente la eficacia luminosa de los LED amarillos, la eficacia luminosa de los LED rojos de GaN y la eficiencia de inyección eléctrica de los LED azul-verdes.


El proyecto abrió una nueva ruta tecnológica de iluminación LED con chip puro (sin fósforo), con productos aplicados en masa en escenarios de iluminación de carreteras y puentes e iluminación ambiental. El proyecto muestra que los chips de pantalla se aplican en masa en equipos especiales. El proyecto logró la integración a nivel de oblea de LEDs de GaN basados en silicio con obleas de circuitos de silicio, desarrollando con éxito pantallas microscópicas y las primeras gafas AR de luz amarilla .


Cabe destacar que los métodos teóricos propuestos por el proyecto en una ruta no consensuada han sido reconocidos por pares internacionales y se han promovido para su aplicación en la ruta consensuada con gran escala y amplia cobertura, mejorando así su nivel técnico y avanzando el desarrollo de las disciplinas de iluminación emisora de semiconductores y la industria de visualización e iluminación de estado sólido (SSL).


Cabe destacar que esta vez, por primera vez en los premios nacionales de ciencia y tecnología, se seleccionaron tres primeros premios del Premio Nacional de Ciencias Naturales, lo que refleja la implementación efectiva de la estrategia de China para fortalecer la investigación básica y centrarse en la innovación original.


本次获奖既是江风益院士团队在知识创新与技术创新方面交出的一份答卷,也是南昌大学全校师生践行科技自立自强的生动体现。


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Introducción a los principales contribuyentes del proyecto


Jiang Fengyi , Profesor de la Universidad de Nanchang, Director del Laboratorio de Nanchang, Académico de la Academia China de Ciencias (Departamento de Tecnología de la Información). Primer contribuyente del proyecto. Comprometido durante mucho tiempo con la investigación de LED de nitruro de galio basado en silicio, persiguiendo la luz durante más de treinta años, liderando al equipo para lograr una ruptura integral desde la teoría básica hasta la industrialización.

Zhang Jianli, Investigador de la Universidad de Nanchang, Científico Jefe del Laboratorio de Nanchang. Segunda persona finalizadora del proyecto.

Xu Longquan, Profesor de la Universidad de Nanchang, Vicedirector del Laboratorio de Nanchang. Tercera persona finalizadora del proyecto.

Quan Zhijue, Investigador de la Universidad de Nanchang. Cuarta persona finalizadora del proyecto.

Wu Xiaoming, Investigador de la Universidad de Nanchang, Ingeniero Jefe del Laboratorio de Nanchang. Quinta persona finalizadora del proyecto.

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Premio Nacional de Invención Técnica de Segundo Grado


Tras el análisis, en los Premios Nacionales de Ciencia y Tecnología de 2025, además del Primer Premio de Ciencias Naturales otorgado al equipo del académico Jiang Fengyi, varios proyectos relacionados con la iluminación de estado sólido (SSL) también recibieron premios:


Nombre del proyecto: Tecnología clave de sustrato para dispositivos emisores de luz basados en GaN

Principales colaboradores: Wang Xinqiang, Zhang Guoyi, Kang Kai, Li Dongsan, Yu Tongjun, Yuan Ye
主要完成单位:北京大学、东莞市中镓半导体科技有限公司、广东中图半导体科技股份有限公司、北方华创微电子装备有限公司、松山湖材料实验室

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Los dispositivos emisores de luz basados en GaN han desencadenado una nueva revolución en las tecnologías de iluminación y visualización, convirtiéndose en el punto alto de la competencia tecnológica e industrial mundial. El sustrato es la base fundamental de los dispositivos emisores de luz basados en GaN. El equipo del proyecto tomó la innovación de la tecnología de sustratos para dispositivos emisores de luz basados en GaN como hilo conductor de investigación, formó un sistema clave de tecnología de sustratos con derechos de propiedad intelectual independientes, desarrolló una serie de productos de sustratos y equipos de apoyo, mejoró significativamente el rendimiento de los dispositivos, logró un salto desde "ser controlado por otros" hasta "liderar independientemente", y proporcionó un soporte sólido para que China ocupe una posición dominante en la industria mundial de iluminación verde y visualización.

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Nombre del proyecto: Preparación de materiales semiconductores de alto rendimiento basados en nitruro de aluminio y tecnologías clave para chips optoelectrónicos

Principales colaboradores: Li Dabing, Sun Xiaojuan, Jiang Ke, WU LIANG, Xu Chunyang, Ben Jianwei
Unidades principales finalistas: Instituto de Óptica, Mecánica Fina y Física de Changchun, Academia China de Ciencias; Aoqu Optoelectronics Technology (Hangzhou) Co., Ltd.; Chuyun Precision Engineering Technology (Shanghai) Co., Ltd.

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Este proyecto supera la tecnología de sustratos de alta conductividad térmica para circuitos integrados de radiofrecuencia de alta frecuencia, mejora enormemente la capacidad de disipación de calor de los dispositivos de radiofrecuencia de alta potencia, aumenta la potencia y estabilidad de los equipos de radiofrecuencia y se utiliza para dispositivos optoelectrónicos de radiofrecuencia de alta potencia y ultravioleta.


Fuente del material: Universidad de Nanchang, Internet, etc., compilado integralmente


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