Cree presenta una plataforma innovadora de amplificadores de estado sólido basados en GaN

　　Cree, Inc. (Nasdaq: CREE) anuncia el lanzamiento de una nueva familia de productos de matriz desnuda (bare die) de GaN-sobre-SiC de 40V, 0,25 micras en banda Ku con un rendimiento revolucionario en potencia y ancho de banda. Esta innovadora familia de productos permite que los amplificadores de estado sólido reemplacen a los tubos de onda progresiva, mejorando así la eficiencia y la fiabilidad.

　　"En comparación con los transistores GaAs en el mismo rango de frecuencia, la familia de productos de matriz desnuda GaN HEMT de 0,25 micras de Cree ofrece una ganancia, eficiencia y densidad de potencia más significativas", dijo Tom Dekker, director de ventas y marketing de RF en Cree. "Una mayor ganancia permite soluciones de potencia combinada más eficientes, mejorando así el rendimiento de los amplificadores de potencia de estado sólido en banda C, banda X y banda Ku."

　　Las principales aplicaciones de mercado incluyen radar marino, imágenes médicas, aplicaciones industriales y comunicaciones por satélite. En comparación con los transistores GaAs, los amplificadores de estado sólido ofrecen mayor fiabilidad, menor costo y eficiencia superior, y pueden reducir el tamaño de los amplificadores de potencia y las fuentes de alimentación. La alta eficiencia de los amplificadores de potencia GaN HEMT reduce eficazmente el consumo de energía de los transmisores.

　　科锐无线射频业务发展经理 Ray Pengelly 表示：“科锐0.25微米GaN HEMT产品拥有突破性的性能，效率和带宽的显著提高实现了GaAs晶体管所不能达到的晶体管性能水平。例如，开关模式的高功率放大器（HPA）能够在微波频率段提供超过80%的功率附加效率。在功率超过10W时，GaN HEMT HPA 的瞬时带宽可达6至18GHz。0.25微米 GaN 产品所提供的卓越性能使得系统工程师能够重新设计 GaAs 晶体管和行波管。”

　　在40V 漏极电压和Ku 波段工作频率范围内，全新 GaN HEMT 裸芯片产品 CGHV1J006D、CGHV1J025D 以及 CGHV1J070D 的额定输出功率分别为6W、25W 和70W。

　　新型碳化硅衬底氮化镓裸芯片产品系列采用科锐专利技术，同时可扩展性的大信号器件模型能够与安捷伦公司的 Advanced Design System 以及 AWR 公司的 Microwave Office 模拟平台相兼容，因此无线射频设计工程师能够准确地模拟先进的射频放大器电路，从而显著缩短设计周期并实现更高微波频率。0.25微米碳化硅衬底氮化镓 HEMT 工艺具有业界领先的可靠性，并能够在 40V 的漏极电压下工作。当通道温度高达225 摄氏度时，平均无故障运行时间超过一百万小时。

　　如欲了解更多科锐全新0.25微米碳化硅衬底氮化镓 HEMT 裸芯片系列产品详情，敬请访问：www.cree.com/rf 。

Acerca de Cree (CREE)

　　Cree fue fundada en 1987 y es una empresa que cotiza en bolsa en los Estados Unidos (NASDAQ: CREE en 1993). Es un reconocido fabricante y líder del sector que integra epitaxia de LED, chips, empaquetado, soluciones de iluminación LED, materiales semiconductores compuestos, dispositivos de potencia y RF a nivel mundial. Las ventajas de los productos de iluminación LED de Cree radican en las tecnologías únicas de materiales en nitruro de galio (GaN) y carburo de silicio (SiC), así como en la avanzada tecnología de luz blanca. Con más de 1.300 patentes estadounidenses, más de 2.900 patentes internacionales y cerca de 390 patentes chinas (incluidas las patentes concedidas y las pendientes), los productos LED de Cree se mantienen en el nivel líder mundial. Los LED de alta potencia de grado iluminación de Cree presentan alta eficacia luminosa, puntos de color estables y larga vida útil. Mientras proporciona a los clientes productos de dispositivos emisores de luz de alta calidad y alta fiabilidad, Cree también ofrece soluciones completas de iluminación LED. Los interruptores MOSFET de carburo de silicio de Cree presentan baja resistencia de encendido, coeficiente de temperatura estable, baja corriente de fuga y corto tiempo de conmutación. Los diodos de potencia Schottky de carburo de silicio de Cree presentan corriente de recuperación inversa cero. Estas características hacen que los dispositivos de potencia de carburo de silicio de Cree sean particularmente adecuados para sistemas electrónicos de potencia que requieren alta frecuencia, alta eficiencia, alta densidad de potencia y alta fiabilidad.