Wolfspeed erhält von der US-Verteidigungsministerium eine bedingte Kreditzusage in Höhe von 1,5 Milliarden US‑Dollar.

Kürzlich veröffentlichte Wolfspeed (NYSE: WOLF), ein führendes US-Unternehmen im Bereich Siliziumkarbid, eine Mitteilung: Das Unternehmen hat von der Office of Strategic Capital (OSC) des US-Verteidigungsministeriums (DoD) einen bedingten Kreditzusagenbrief erhalten. Vorgesehen ist eine langfristige Finanzierung in Höhe von bis zu 1,5 Milliarden US‑Dollar, die für Forschung, Entwicklung und Produktion von Siliziumkarbid‑Materialien (SiC) sowie von Leistungshalbleitern mit breiter Bandlücke innerhalb der USA eingesetzt werden soll – mit Schwerpunkt auf Anwendungen im Bereich der nationalen Sicherheit.

Wie angegeben wird diese Finanzierung mehrere Schlüsselprojekte des US‑Verteidigungsministeriums unterstützen. Wolfspeed plant, die Mittel zur Aufrüstung seiner Epitaxie‑Kapazitäten für Galliumnitrid (GaN) einzusetzen, um die nächste Generation der Kommunikationsinfrastruktur und elektronischer Kriegsführungssysteme zu bedienen; gleichzeitig sollen die Strahlungsbeständigkeit von SiC‑ und zukünftigen GaN‑Produkten weiterentwickelt werden. Der mehrjährige Entwicklungsplan des Unternehmens umfasst: die Stärkung der führenden Position der USA bei Siliziumkarbid‑Materialien und Leistungshalbleitern; den Aufbau, die Erweiterung oder die Rückführung heimischer Produktionslinien für Nieder‑ und Hochspannungs‑GaN‑Leistungshalbleiter; die Weiterentwicklung der Technologie für GaN‑auf‑SiC‑RF‑Epitaxiewafer; sowie den Aufbau einer nationalen Kompetenzbasis für strahlungsresistente Halbleitertechnologien in den USA.

Die Vertragsbedingungen sehen vor, dass es sich bei dieser bedingten Zusage um ein hochrangiges, gesichertes, verzögert abrufbares Terminkredit‑Darlehen in Höhe von bis zu 1,5 Milliarden US‑Dollar handelt, dessen Laufzeit bis zu 30 Jahre beträgt. Eine der Voraussetzungen für die tatsächliche Bereitstellung der Mittel besteht darin, dass Wolfspeed dem US‑Verteidigungsministerium Optionswarrants ausgibt, deren Ausübungspreis sich am volumengewichteten Durchschnittskurs (VWAP) orientiert. Insgesamt könnten diese Warrants bis zu 7,5 % der vollständig verwässerten Unternehmensanteile sichern; die Warrants werden entsprechend dem jeweiligen Auszahlungsschritt der Mittel anteilig ausgegeben.

Wolfspeed weist zudem darauf hin, dass die endgültige Unterzeichnung des formellen Vertrags und die abschließende Fertigstellung der Finanzierung noch eine Reihe von Vorarbeiten erfordern – darunter Due Diligence, kommerzielle Verhandlungen, Prüfung der Closing‑Bedingungen, behördliche Genehmigungen, die tatsächliche Mittelbereitstellung sowie die Einholung von Drittanbieter‑Lizenzen – sodass eine erfolgreiche Abwicklung und eine reibungslose Auszahlung der Mittel keineswegs garantiert sind.

Robert Feurle, CEO von Wolfspeed, erklärte, dass SiC und GaN im Bereich der nationalen Sicherheit einen unersetzlichen strategischen Wert besitzen. Sollte die Finanzierung reibungslos verlaufen, werde das Unternehmen kontinuierlich die Bedürfnisse des US‑Verteidigungsministeriums bedienen und seine Produktionskapazitäten weiter ausbauen, um die Versorgung der US‑Industrie für nationale Sicherheitsanwendungen sicherzustellen. Gregor van Issum, CFO von Wolfspeed, betonte, dass diese 30‑jährige Darlehenszusage einen wichtigen Meilenstein bei der Optimierung der Kapitalstruktur und der Stärkung der finanziellen Grundlagen des Unternehmens darstellt; sie dürfte langfristige Mittel einbringen, die die strategische Ausrichtung unterstützen und die finanzielle Flexibilität des Unternehmens erhöhen.

Siliziumkarbid und Galliumnitrid gelten als Kernmaterialien der dritten Generation breiter Bandlücken‑Halbleiter und finden breite Anwendung in Bereichen wie Radiofrequenztechnik, militärischer Elektronik sowie Leistungsumwandlung. Die erwartete Umsetzung dieser großvolumigen, langfristigen Finanzierung durch das US‑Verteidigungsministerium wird den Aufbau heimischer Produktionskapazitäten für breitbandige Halbleitermaterialien und -bauelemente beschleunigen, die Weiterentwicklung von RF‑ und strahlungsresistenten Halbleitertechnologien vorantreiben und zugleich das globale Wettbewerbsmuster der SiC‑ und GaN‑Industrie tiefgreifend beeinflussen.

Quelle: Industrie der dritten Generation von Halbleitern