China erzielt wichtigen Durchbruch in der UV-LED-Beleuchtungs- und Anwendungsforschung

　　Durch kontinuierliche Anstrengungen hat das Thema „Forschung zur Herstellung und Anwendungstechnologie von Deep-UV-LED“ im Rahmen des Großprojekts „Halbleiter-Beleuchtungsprojekt“ des Nationalen 863-Programms im Bereich Neue Materialtechnologien des „11. Fünfjahresplans“ wichtige Durchbrüche in der Forschung zu Materialien mit hohem Aluminiumanteil und in Geräteanwendungen erzielt.

　　Halbleiterbasierte Deep-UV-Lichtquellen haben einen bedeutenden Anwendungswert in Bereichen wie Beleuchtung, Sterilisation, Medizin, Druck, biochemischer Detektion, hochdichter Informationsspeicherung und vertraulicher Kommunikation. Deep-UV-LEDs mit AlGaN-Material als aktiver Zone können Emissionswellenlängen abdecken, die den ultravioletten Bereich von 210-365 nm umfassen, was sie zu einem idealen Material für die Realisierung von Deep-UV-LED-Bauelementprodukten in diesem Band macht, mit Vorteilen, die von anderen herkömmlichen ultravioletten Lichtquellen unübertroffen sind.

　　Mit Unterstützung des Nationalen 863-Programms konzentrierte sich das Forschungsteam auf die Durchführung von Forschung zu MOCVD-basierten Deep-UV-LED-Materialien und -Geräten, wobei der Schwerpunkt auf der Lösung von Problemen wie Oberflächenrissen in den Materialien, schlechter Kristallqualität, niedrigem Aluminiumanteil, der Unfähigkeit, Emission mit kurzen Wellenlängen zu erreichen, und dem Design der Strukturmaterialien lag. Durchbrüche wurden in einigen Schlüsseltechnologien erzielt, und rissfreie Materialien mit hohem Aluminiumanteil und hoher Kristallqualität wurden erhalten. Auf dieser Grundlage stellte das Projekt erstmals in China Deep-UV-LED-Geräte unter 300 nm her, erreichte eine Leistungsabgabe im Milliwatt-Bereich und entwickelte Deep-UV-Sterilisationsmodule, mit einer getesteten Sterilisationsrate von über 95%.

(Verantwortlicher Redakteur: zl)