Cree bringt bahnbrechende GaN-basierte Festkörperverstärker-Plattform auf den Markt

　　Cree, Inc. (Nasdaq: CREE) kündigt die Einführung einer neuen Ku-Band 40V, 0,25-Mikron GaN-auf-SiC Bare-Die-Produktfamilie mit revolutionärer Leistungs- und Bandbreitenperformance an. Diese innovative Produktfamilie ermöglicht es, dass Festkörperverstärker Wanderfeldröhren (TWTs) ersetzen, wodurch Effizienz und Zuverlässigkeit verbessert werden.

　　„Im Vergleich zu GaAs-Transistoren im gleichen Frequenzbereich bietet die 0,25-Mikron-GaN-HEMT-Bare-Die-Produktfamilie von Cree deutlich mehr Verstärkung, Effizienz und Leistungsdichte“, sagt Tom Dekker, Director of RF Sales and Marketing bei Cree. „Die höhere Verstärkung ermöglicht effizientere kombinierte Leistungslösungen und verbessert so die Leistung von Festkörper-Leistungsverstärkern im C-Band, X-Band und Ku-Band.“

　　Zu den wichtigsten Marktanwendungen gehören Marine-Radarsysteme, medizinische Bildgebung, industrielle Anwendungen und Satellitenkommunikation. Im Vergleich zu GaAs-Transistoren bieten Festkörperverstärker eine höhere Zuverlässigkeit, geringere Kosten und überlegene Effizienz und können die Größe von Leistungsverstärkern und Netzteilen reduzieren. Die hohe Effizienz von GaN-HEMT-Leistungsverstärkern reduziert effektiv den Stromverbrauch von Sendern.

　　科锐无线射频业务发展经理 Ray Pengelly 表示：“科锐0.25微米GaN HEMT产品拥有突破性的性能，效率和带宽的显著提高实现了GaAs晶体管所不能达到的晶体管性能水平。例如，开关模式的高功率放大器（HPA）能够在微波频率段提供超过80%的功率附加效率。在功率超过10W时，GaN HEMT HPA 的瞬时带宽可达6至18GHz。0.25微米 GaN 产品所提供的卓越性能使得系统工程师能够重新设计 GaAs 晶体管和行波管。”

　　在40V 漏极电压和Ku 波段工作频率范围内，全新 GaN HEMT 裸芯片产品 CGHV1J006D、CGHV1J025D 以及 CGHV1J070D 的额定输出功率分别为6W、25W 和70W。

　　新型碳化硅衬底氮化镓裸芯片产品系列采用科锐专利技术，同时可扩展性的大信号器件模型能够与安捷伦公司的 Advanced Design System 以及 AWR 公司的 Microwave Office 模拟平台相兼容，因此无线射频设计工程师能够准确地模拟先进的射频放大器电路，从而显著缩短设计周期并实现更高微波频率。0.25微米碳化硅衬底氮化镓 HEMT 工艺具有业界领先的可靠性，并能够在 40V 的漏极电压下工作。当通道温度高达225 摄氏度时，平均无故障运行时间超过一百万小时。

　　如欲了解更多科锐全新0.25微米碳化硅衬底氮化镓 HEMT 裸芯片系列产品详情，敬请访问：www.cree.com/rf 。

Über Cree (CREE)

　　Cree wurde 1987 gegründet und ist ein an der US-Börse notiertes Unternehmen (NASDAQ: CREE im Jahr 1993). Es ist ein renommierter Hersteller und Branchenführer, der globale LED-Epitaxie, Chips, Gehäuse, LED-Beleuchtungslösungen, Verbindungshalbleitermaterialien, Leistungsbauelemente und HF vereint. Die Vorteile der LED-Beleuchtungsprodukte von Cree liegen in den einzigartigen Materialtechnologien in Galliumnitrid (GaN) und Siliziumkarbid (SiC) sowie in der fortschrittlichen Weißlichttechnologie. Mit über 1.300 US-Patenten, mehr als 2.900 internationalen Patenten und nahezu 390 chinesischen Patenten (einschließlich erteilter und anhängiger Patente) bleiben die LED-Produkte von Cree auf dem weltweit führenden Niveau. Crees Hochleistungs-LEDs in Beleuchtungsqualität zeichnen sich durch hohe Lichtausbeute, stabile Farbpunkte und lange Lebensdauer aus. Während Cree seinen Kunden hochwertige und äußerst zuverlässige Leuchtbauelemente liefert, bietet das Unternehmen auch komplette LED-Beleuchtungslösungen an. Die Siliziumkarbid-MOSFET-Schalter von Cree zeichnen sich durch niedrigen Einschaltwiderstand, stabilen Temperaturkoeffizienten, niedrigen Leckstrom und kurze Schaltzeit aus. Die Siliziumkarbid-Schottky-Leistungsdioden von Creek zeichnen sich durch null Rückwärtserholstrom aus. Diese Eigenschaften machen die Siliziumkarbid-Leistungsbauelemente von Cree besonders geeignet für Leistungselektroniksysteme, die hohe Frequenz, hohen Wirkungsgrad, hohe Leistungsdichte und hohe Zuverlässigkeit erfordern.